
传统硅基IGBT,他认为存在四大不足,第一,开关损耗大,高频工况效率偏低。第二,耐高温能力有限。第三,开关频率低,系统体积与重量难以下探。第四,难以支撑 800V 以上平台长期发展。 他认为,全面向第三代半导体升级,是必然技术路线,SiC/GaN 器件凭借其优异的物理特性,将彻底解决上述痛点,推动产业革新。 谈及未来3-5年的关键趋势,他认为,第一,800V 高压平台加速下沉至主流车型。第二,
款之外。因此,中小企业的融资来源要么是信贷市场,要么是杠杆贷款或私募基金。责任编辑:宋雅芳
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发布时间:01:01:17
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